发明名称 |
硅基液晶显示装置的金属反射层的制作方法 |
摘要 |
一种硅基液晶显示装置的金属反射层的制作方法,在硅晶片基底上依次完成内部驱动电路、绝缘层,然后沉积金属反射层、复合阻挡保护层;并进行蚀刻图案化,露出驱动电路层的上表面;在复合阻挡保护层上沉积金属间介电层,填充蚀刻出的沟槽;进行CMP,停止于复合阻挡保护层的上表面;蚀刻去除复合阻挡保护层,露出金属反射层的上表面,因本发明具有上硬下软的双层结构的复合阻挡保护层,当遇到上层较硬的阻挡层时CMP就停止,而下层较软的保护层则可对金属反射层起到保护作用;避免了CMP对金属反射层的不良影响,保证了金属反射层的表面平整,从而能够制作出具有高质量的金属反射层的LCOS。 |
申请公布号 |
CN100356258C |
申请公布日期 |
2007.12.19 |
申请号 |
CN200310122960.7 |
申请日期 |
2003.12.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
李海艇;黄河;史望澄 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/1335(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
陈红 |
主权项 |
1.一种硅基液晶显示装置的金属反射层的制作方法,首先在硅晶片基底上完成内部驱动电路、并在驱动电路层上完成绝缘层的制作,其特征在于,该方法还包括如下步骤:a、在所述绝缘层上沉积用作金属反射层的金属;b、在所述金属层上沉积复合阻挡保护层,所述复合阻挡保护层为双层结构,其中上层为硬质层,下层为软质层;c、对所述复合阻挡保护层、金属反射层及绝缘层进行蚀刻,实现图案化,并露出驱动电路层的上表面;d、在所述复合阻挡保护层上沉积金属间介电层,并填充蚀刻出的沟槽;e、对所述金属间介电层进行化学机械抛光,并停止于所述复合阻挡保护层的上表面;f、通过蚀刻的方法去除所述复合阻挡保护层,露出金属反射层的上表面。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |