一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法

摘要

本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管的方法，是通过扩散或离子注入以及外延工艺，在半导体衬底表面形成低掺杂层，并在其下形成高掺杂的隐埋层，再利用对掺杂的选择腐蚀技术将源漏底下的高掺杂区腐蚀掉，之后用介质填充腐蚀后留下的孔洞，形成源漏下的绝缘层，从而实现源漏位于绝缘层上的MOSFET晶体管。本发明的制备方法和传统CMOS工艺相兼容，制备出的器件结合了纳米MOSFET器件制作工艺的两种新技术的优点，具有较高的实用价值，有望在未来的纳米集成电路中得到应用。

主权项

1.一种源漏位于绝缘层上的MOS晶体管的制作方法，包括以下步骤：(1)在半导体衬底表面形成高掺杂区；(2)外延生长一未掺杂半导体层；(3)形成浅槽隔离场区；(4)生长栅介质层；(5)淀积栅电极层和牺牲介质层，接着光刻和刻蚀形成栅电极图形；(6)淀积牺牲侧墙介质层，回刻后在栅电极两侧形成侧墙，以形成的栅电极和侧墙图形为掩膜腐蚀掉栅介质层，使两侧衬底表面露出；(7)腐蚀所露出的衬底，到高掺杂区时停止腐蚀；(8)选择腐蚀高掺杂区，当到达栅覆盖处停止腐蚀；(9)淀积绝缘介质，填充刻蚀形成的空洞，回刻去除表面的绝缘介质；(10)腐蚀掉栅电极两侧和顶部的牺牲介质层后再淀积或热氧化生长形成另一薄介质层；(11)离子注入掺杂源漏区和栅电极，然后回刻上述薄介质层以形成新的栅电极侧墙；(12)最后进入CMOS后道工序，即可制得所述的MOS晶体管。