在半导体器件的双镶嵌结构中降低接触电阻的方法和结构

摘要

本发明公开了一种集成电路器件结构。该结构包括衬底，覆盖衬底上的电介质层，和覆盖电介质层上的金属互连。围绕着金属互连形成第一中间电介质层。第二中间电介质层覆盖在第一中间电介质层上。在第二中间电介质层的上部内形成沟槽开口。第一阻挡层位于沟槽开口内并覆盖在沟槽开口上。接触开口位于所述第二中间电介质层的下部内。第二中间电介质层下部耦合到第二中间电介质层上部。第二阻挡层设在接触开口的开口内，并覆盖在接触开口的开口上以及第一阻挡层上。第二阻挡的定向的部分或全部移除形成了低接触阻挡结构。铜材料被形成覆盖在第一阻挡层和第二阻挡层上，以基本填充第二中间电介质层内的接触开口和沟槽。

主权项

1.一种集成电路器件的制作方法，所述方法包括：提供一个衬底，所述衬底包括一种含硅材料；形成一个覆盖在所述衬底之上的第一中间电介质层；在所述第一中间电介质层内部形成一个金属互连，所述金属互连包括一种铜材料；形成一个覆盖在第一中间电介质层之上的具有一个预定厚度的第二中间电介质层；在第二中间电介质层上部至表面区域内形成一个具有第一宽度的沟槽：在所述具有第一宽度的沟槽内形成一个覆盖该沟槽的第一阻挡层；在所述第二中间电介质层下部内形成一个穿过所述沟槽开口的具有第二宽度的接触开口，所述第二宽度小于所述第一宽度，在所述第二中间电介质层的所述预定厚度内，所述第二中间电介质层的下部耦合到所述第二中间电介质层上部；在所述接触开口内形成一个覆盖所述接触开口以及覆盖所述第一阻挡层的第二阻挡层，所述第二阻挡层覆盖所述沟槽的内部和第二中间电介质内的接触开口；形成一个覆盖在所述第一阻挡层和第二阻挡层之上的铜材料，以填充第二中间电介质层内的所述接触开口和所述沟槽；以及平面化所述覆盖在所述第一阻挡层和第二阻挡层之上的铜材料的上部。