| 发明名称 | 电子部件、电介质陶瓷组合物及其制造方法 | ||
| 摘要 | 电介质陶瓷组合物的制造方法，其制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物，所述组合物含有：含有具有式ABO<SUB>3</SUB>(A为Ba或Ba和Ca，B为Ti或Ti和Zr)所示的钙钛矿结构的化合物的主成分；和含有R的氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)的第4副成分，其包括下述工序：将主成分原料分为第1和第2主成分原料，使第1主成分原料和第4副成分原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向反应过的原料中添加第2主成分和其余的第4副成分原料的工序，第1和第2主成分的摩尔数为n1、n2时，0.5≤n1/(n1+n2)≤1。根据本发明，可提供即使将电介质层薄层化，也可兼顾相对介电常数和容量温度特性的电介质陶瓷组合物及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101088960A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200710110023.8 | 申请日期 | 2007.06.12 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | M·柳田;佐藤阳 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01);C04B35/622(2006.01);H01B3/12(2006.01) | 主分类号 | C04B35/468(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1.电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制造含有下述成分的电介质陶瓷组合物的方法，所述组合物含有：含有具有通式ABO3所示的钙钛矿型结晶结构的化合物的主成分，其中，A为Ba单独或Ba和Ca的复合，B为Ti单独或Ti和Zr的复合；和含有R的氧化物的第4副成分，其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种，其特征在于，该方法包括下述工序：将上述主成分原料分为第1主成分原料和第2主成分原料2组的工序；使上述第1主成分原料和将包含在上述电介质陶瓷组合物中的上述第4副成分原料的一部分预先反应，得到反应过的原料的工序；和向上述反应过的原料中添加上述第2主成分原料和将包含在上述电介质陶瓷组合物中的其余的上述第4副成分原料的工序，上述第1主成分的摩尔数为n1、上述第2主成分的摩尔数为n2时，上述第1主成分相对于上述第1主成分和上述第2主成分的总摩尔数之比为0.5≤n1/(n1+n2)≤1。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||