| 发明名称 | 电阻元件调节方法,电阻元件及电流发生装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，能够调节由形成于半导体基板上的阱电阻元件构成的电阻元件的电阻值和电阻温度特性。该课题的解决手段是，在阱电阻区域(4)内的两个地方形成相互保持间隔的接触区域(6)。在该接触区域(6)上，隔着硅化物层(8)形成触点(10a，10b)。在阱电阻区域(4)内的接触区域(6)之间，形成调节该电阻元件的电阻值及电阻温度特性用的P+扩散区域(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN101090066A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200710109015.1 | 申请日期 | 2007.06.12 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 大塚正也;阿部博明 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;王景刚 |
| 主权项 | 1.一种电阻元件调节方法，对电阻元件的电阻值和电阻温度特性进行调节，所述电阻元件具有形成于半导体基板上的阱电阻区域和在该阱电阻区域内相互保持距离形成的接触区域，其特征在于：在所述阱电阻区域内的所述接触区域之间的表面侧上，形成用于调节电阻值及电阻温度特性的扩散区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||