| 发明名称 | 半导体复合器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体复合器件，其包括共用基板；第一半导体发光器件；以及第二半导体发光器件。所述第一半导体发光器件被构造成包括直接地或经由接合层而形成在所述共用基板的一部分上的、包含发光层的外延生长层。所述第二半导体发光器件设置在所述外延生长层并不接合的至少一个位置处的槽中或者设置在形成于至少一个位置处的所述槽的凹部中。本发明还提供了具有这种结构的半导体复合器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101090108A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200710109194.9 | 申请日期 | 2007.06.12 |
| 申请人 | 斯坦雷电气株式会社 | 发明人 | 多田康广;半谷明彦 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01);H01L25/075(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L25/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 1.一种半导体复合器件，包括：共用基板；第一半导体发光器件；以及第二半导体发光器件，所述第一半导体发光器件被构造成包括直接或经由接合层形成在所述共用基板的一部分上的、包含发光层的外延生长层，并且所述第二半导体发光器件设置在不与所述外延生长层接合的至少一个位置处的槽中，或者设置在形成于至少一个位置处的所述槽内的凹部中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||