| 发明名称 | 介电层的沉积方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种在基片上沉积介电层的方法。将用来防止下部电极的氧化和扩散的氧化隔离层插入基片和介电层之间以及介电层之间的界面中。由此，获得具有低漏电流和高电容的电容器。此外，通过调整晶格常数来控制介电常数，以便在大规模基片上形成具有高介电常数的多层结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100356518C | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN02150443.1 | 申请日期 | 2002.11.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李正贤;闵约赛;曹永真 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/70(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;张平元 |
| 主权项 | 1.一种在基片上沉积介电层的方法，该介电层具有多层结构，该方法包含：在基片表面上形成氧化隔离层；在氧化隔离层上形成多个介电层；其中将多个附加的氧化隔离层中的每一个插入每个介电层和相邻层之间；其中氧化隔离层由选自氧化钽、氧化钛、氧化铪和氧化锆之一的金属氧化物形成。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||