| 发明名称 | 栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件技术领域，特别是栅体通过反偏肖特基结连接SOI动态阈值晶体管的方法。包括：SOI衬底(3)；形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管，其中所述晶体管包括栅电极(55)，栅氧化层(51)，漏电极(52)，源电极(53)(源漏可以互换)和体区(54)；连接到晶体管栅电极(55)和体区(54)之间的反偏肖特基结(50)；用金属(02)将栅电极(55)和体引出部分(10)电学相连；以及器件之间必要的电学隔离。本发明的晶体管适用于低压低功耗高速集成电路领域。 | ||
| 申请公布号 | CN101090122A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200610083997.7 | 申请日期 | 2006.06.16 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 毕津顺;海潮和;韩郑生 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 段成云 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，包括：SOI衬底(3)；形成在SOI顶层硅膜(1)内的晶体管，其中所述晶体管包括栅电极(55)，栅氧化层(51)，漏电极(52)，源电极(53)和体区(54)；连接到晶体管栅电极(55)和体区(54)之间的反偏肖特基结(50)；用金属(02)将栅电极(55)和体引出部分(10)电学相连；以及器件之间必要的电学隔离。 | ||
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||