| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体电路及其制造方法，该电路包括存储单元阵列和周边回路，该存储单元包括垂直环栅晶体管和位于所述垂直环栅晶体管下方的沟槽电容；周边回路由常规平面晶体管组成。本发明的电路的制造方法为在半导体衬底上形成垂直环栅晶体管阵列，在所述垂直环栅晶体管下形成存储电容。本发明所述方法能够和周边平面栅晶体管电路整合制造。 | ||
| 申请公布号 | CN101090117A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200610027580.9 | 申请日期 | 2006.06.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 邢溯;杨勇胜;肖德元;陈国庆 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储器件，包括复数个存储单元，其特征在于，所述存储单元包括：在半导体衬底中形成的垂直环栅晶体管；和形成于所述垂直环栅晶体管下方的沟槽电容。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||