| 发明名称 | 在硅基板中形成隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露一种生成浅沟渠隔离区域的工艺。此工艺包括一个转换位于沟渠隔离区域内的氮化硅的临场蒸汽产生工艺(In Situ StreamGeneration)，以将此沟渠的上角落裸露出来，并同时将沟渠隔离区域内上角落的衬垫氧化层(Liner Oxide)边缘圆化。此具有圆化边缘的衬垫氧化层可以防止后续生成的栅氧化层被薄化。 | ||
| 申请公布号 | CN101090089A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200710108298.8 | 申请日期 | 2007.06.07 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴家伟;谢荣裕;杨令武 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1、一种制造硅基板上半导体元件的隔离结构的方法，包括：形成沟渠于所述硅基板中；利用衬垫氧化层来衬垫所述沟渠；利用氮化硅层来进一步衬垫所述沟渠；利用绝缘层来填充所述沟渠；利用临场蒸汽产生工艺来生成牺牲氧化层于所述硅基板靠近所述沟渠处，其中所述临场蒸汽产生工艺所生成的氧化层转换一部分的所述氮化硅层变为氧化硅，且同时将所述衬垫氧化层的上角落进行圆化。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||