| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：实施将杂质离子注入半导体衬底的离子注入过程和在退火室各部分的温度差别设定的状态下实施退火以活化杂质离子。 | ||
| 申请公布号 | CN101090094A | 申请公布日期 | 2007.12.19 |
| 申请号 | CN200610156457.7 | 申请日期 | 2006.12.31 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 张民植;郭鲁烈 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨生平;杨红梅 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：将掺杂剂注入半导体衬底中，所述衬底具有第一区域和第二区域；和通过使第一和第二区域经受不同的活化能来活化注入衬底的掺杂剂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||