métodos para calibrar os nìveis de dopagem para pelo menos duas camadas de dopagem delta incluìdas em uma estrutura de semicondutor em multicamada e para gerar uma estrutura de semicondutor em multicamada, e, estruturas de semicondutor em multicamada e de poço quántico múltiplo

摘要

MéTODOS PARA CALIBRAR OS NìVEIS DE DOPAGEM PARA PELO MENOS DUAS CAMADAS DE DOPAGEM DELTA INCLUìDAS EM UMA ESTRUTURA DE SEMICONDUTOR EM MULTICAMADA E PARA GERAR UMA ESTRUTURA DE SEMICONDUTOR EM MULTICAMADA, E, ESTRUTURAS DE SEMICONDUTOR EM MULTICAMADA E DE POçO QUANTICO MúLTIPLO. Em um método de calibração, a relação entre concentrações de dopante de camadas de dopagem <SYM> em uma estrutura de semicondutor em multicamada e parâmetros de processo é determinada em S1, com base em espécimes em volume múltiplos do material no qual as camadas de dopagem <SYM> estão localizadas. Uma concentração de dopante desejada é selecionada em S2, e a estrutura de semicondutor com níveis de dopagem predeterminados pode ser gerada em S3 com base na relação entre os parâmetros de processo e as concentrações de dopagem predeterminadas.