半导体积体电路装置及其制造方法

摘要

本发明中，在使用镶嵌法所形成之Cu布线19上形成防止Cu扩散之氮化矽膜21之步骤，系包含如下步骤：(a)把形成有Cu布线19之基板1搬入电浆CVD装置之处理室内，将基板1加热至特定之温度者；(b)供应氨至处理室内，以第1RF电源将氨作电浆分解，藉此将Cu布线19之表面作还原处理者；(c)在施加有RF电源之状态下，供应含有氨及单矽烷之原料气体至处理室内，以第2RF电源将氨及矽烷系气体作电浆分解，藉此在Cu布线19上形成氮化矽膜21者。