摘要 |
本发明提供一种电子装置(200),其包含一处理单元(220),其操作地耦接至一缓冲器随机存取记忆体(RAM)(215),该缓冲器随机存取记忆体(RAM)(215)又操作地耦接至一经组态以仿真一电可擦除可程式唯读记忆体(EEPROM)之非挥发性记忆体(205)。该处理单元(220)经配置为以一第一时钟频率在该缓冲器RAM(215)与该非挥发性记忆体(205)之间转移资料。一第二RAM(225)操作地耦接于该处理单元(220)与该非挥发性记忆体(205)之间,且该处理单元(220)在该第二RAM(225)中设定一标签位元,以识别该缓冲器RAM(215)中之正被该处理单元(220)写入或自其读取的一位址。 |