发明名称 具有记忆体元件之电子装置及其操作方法
摘要 本发明提供一种电子装置(200),其包含一处理单元(220),其操作地耦接至一缓冲器随机存取记忆体(RAM)(215),该缓冲器随机存取记忆体(RAM)(215)又操作地耦接至一经组态以仿真一电可擦除可程式唯读记忆体(EEPROM)之非挥发性记忆体(205)。该处理单元(220)经配置为以一第一时钟频率在该缓冲器RAM(215)与该非挥发性记忆体(205)之间转移资料。一第二RAM(225)操作地耦接于该处理单元(220)与该非挥发性记忆体(205)之间,且该处理单元(220)在该第二RAM(225)中设定一标签位元,以识别该缓冲器RAM(215)中之正被该处理单元(220)写入或自其读取的一位址。
申请公布号 TW200745935 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW096104536 申请日期 2007.02.08
申请人 飞思卡尔半导体公司 发明人 裘琴 库肯
分类号 G06F3/06(2006.01) 主分类号 G06F3/06(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国