发明名称 用于磊晶薄膜形成的方法与装置
摘要 在第一态样中,本发明提供第一系统以用于半导体元件制造。此第一系统包含:(1)一磊晶腔室,其适用以在一基材之表面上形成一材料层次;以及(2)一电浆产生器,其耦接于该磊晶腔室,且适用以导引电浆至该磊晶腔室。本发明提供许多其他态样。
申请公布号 TW200746265 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW095136765 申请日期 2006.10.03
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 莫非特史帝夫;珊谛牙哥詹姆斯
分类号 H01L21/20(2006.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 美国
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