| 摘要 |
本发明揭示一种在具有一接合层(14)与一操作基板(12)之一绝缘体上锗(GOI)基板(40)上形成III-V族磊晶(42)之方法，该方法开始于在一第一温度下测量该接合层之一晶格参数。然后在一磊晶生长温度下计算该接合层之晶格参数，其系该操作基板之一热膨胀系数(CTE)之一函数。从一种类III-V族材料选择一磊晶组合物用于该接合层上的磊晶生长，其中所选择的磊晶组合物系调整成用以在该磊晶生长温度下具有接近该接合层之该计算晶格参数之一晶格参数。然后使用该调整过的磊晶组合物在该接合层(14)上生长一磊晶层(42)，从而产生一实质上无缺陷III-V族磊晶层。此外，当该磊晶层之CTE大约类似于该操作基板之CTE时，获得一改良缺陷率。 |
