发明名称 III族氮化物半导体发光元件
摘要 本发明之课题本发明,系以提高III族氮化物半导体发光元件之光取出效率为目的。本发明之解决手段本发明之III族氮化物半导体发光元件,系一种III族氮化物半导体发光元件,系包含基板,和含有层积于基板上之发光层的III族氮化物半导体层;其特征系该III族氮化物半导体层之侧面,对基板主要面之法线倾斜。
申请公布号 TW200746455 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW095134633 申请日期 2006.09.19
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 织地学;龟井宏二;三木久幸;松濑朗浩
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本