用于抹除记忆体装置之方法以及多阶程式化记忆体装置

摘要

一种记忆体(150)，包含第一电荷储存区域(164A)，其系藉由隔离区域(170)而与第二电荷储存区域(164B)隔开。提供用于抹除记忆体(150)的技术，其中，电子以富勒-诺得汉(Fowler-Nordheim； FN)穿隧方式穿出至少一个之电荷储存区域(164A)、(164B)而进入基板(154)内，以抹除记忆体(150)之至少一个电荷储存区域。提供其它的技术，用于在多种不同阶(level)或状态下程式化单一的电荷储存区域。