| 摘要 |
本发明系有关于一种绝缘半导体(SOI)晶圆，其包括一具有彼此面对之第一及第二主要表面的半导体基材。一电介质层系被配置在该半导体基材的第一主要表面之至少一部份上。一装置层，其具有一第一主要表面及一第二主要表面。该装置层之第二主要表面被设置在面对该半导体基材之电介质层的一表面。复数个预定的晶粒区域被界定于该装置层的第一主要表面上。该等复数个预定的晶粒区域彼此分离。复数个晶粒进入沟槽由该第二主要表面形成于该半导体基材中。该等复数个晶粒进入沟槽中的每一个沟槽通常被配置在该等复数个预定的晶粒区域的至少一个别的区域之下。 |
