气相成长装置及气相成长基板的制造方法

摘要

课题提供依反应生成物的堆积的构件更换频度低的气相成长装置及气相成长基板的制造方法。解决手段具备：容器11，及将被收纳于容器11的半导体基板12以面朝下对于原料气体的流动方向倾斜而配设在周方向，而且将半导体12分别保持成可自转及公转的夹持具13，基座14，外周环15，及从与结晶成长面相反侧来加半导体基板12的加热器16，及将原料气体从基座14的中心部朝外周部放射状地供给至半导体基板12的喷嘴17。藉由倾斜半导体基板12，抑制反应生成物堆积在夹持具13，基座14而产生在与半导体基板12之间的阶段差所致的原料气体流动的紊乱并延迟半导体基板12的外周部的结晶缺陷的发生，降低构件更换频度。