遮罩图案之产生方法

摘要

植发明揭示一种遮罩图案之产生方法，其系用以产生欲在一用于一曝光程序的雷文生相移遮罩中形成之一遮罩图案，该雷文生相移遮罩系用以在藉由微影蚀刻将一导电层图案化时将在一欲图案化成该导电层的制成膜上形成之一光阻膜曝光，该导电层包括形成于一作用区域中之一闸极，该作用区域以一方式在一晶圆中于一第一方向上延伸以至于在与该第一方向正交之一第二方向上延伸，该遮罩图案之产生方法包括：一相移器配置步骤；一相移器图案影像获得步骤；一修整图案影像获得步骤；以及一相移器伸长步骤。