共漏极双半导体晶片级封装以及制造该种封装的方法

摘要

本发明提供一种共漏极双MOSFET晶片级封装以及制造该封装的方法。制造大量共漏极双MOSFET晶片级封装的方法包括以下步骤：提供具有在其上设置的大量共漏极双MOSFET器件的晶片，隔离晶片的背漏极金属表面，在每个共漏极双MOSFET器件上进行球栅阵列区的底部凸点金属化，在晶片上漏印焊料掩模以暴露球栅阵列区，回流焊料膏或预形成的焊料球以形成焊料凸点的球栅阵列，和将晶片切割成大量晶片级封装。