具有嵌入式电容之半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有嵌入式电容之半导体装置，包括：一介电层，位于一基底上，该介电层具有一接触开口以暴露该基底以及一沟槽开口于该接触开口上；一第一金属电极层，顺应性的形成于该接触开口及该沟槽开口之侧壁及底部上；一第二金属电极层，顺应性的形成于该接触开口及该沟槽开口之侧壁及底部上；以及一电极介电层，位于该第一及第二金属电极层之间。