发明名称 |
半导体IC嵌入式模组SEMICONDUCTOR IC-EMBEDDED MODULE |
摘要 |
本发明系提供一种半导体IC嵌入式模组100,包括一多层基板101,其具有第一和第二绝缘层101a及101b;以及嵌入在多层基板101内的控制器IC 102和记忆体IC 103。多层基板101的内层设有一布线层104,该布线层104的一部分系构成汇流排104X,控制器IC 102和记忆体IC 103系嵌入在第二绝缘层101b内,第一和第二绝缘层101a及101b的表面层分别设有第一和第二接地层105a及105b,由汇流排所产生的杂讯影响减少,且由所设置之汇流排连接半导体IC之距离最小化,可进一步达成杂讯之减少及尺寸与厚度之降低。 |
申请公布号 |
TW200746384 |
申请公布日期 |
2007.12.16 |
申请号 |
TW095133995 |
申请日期 |
2006.09.14 |
申请人 |
TDK股份有限公司 |
发明人 |
胜正史;川贤一;远藤敏一 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01);H01L25/07(2006.01);H01L25/04(2006.01);H05K3/46(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
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地址 |
日本 |