| 发明名称 |
具有闸极扩张顶部的半导体电晶体 |
| 摘要 |
本发明提供一种具有闸极扩张顶部之半导体电晶体及其制造方法。具有闸极扩张顶部之半导体电晶体包括：(a)一半导体区域包括一通道区域和第一及第二源/汲极区域；该通道区域配置于第一及第二源/汲极区域之间，(b)一闸介电区域，直接实体接触于通道区域，和(C)一闸电极区域，包括一顶部和一底部。该底部直接实体接触闸介电区域。该顶部之第一宽度大于该底部之第二宽度。闸电极区域藉由闸介电区域将通道区域电绝缘。 |
| 申请公布号 |
TW200746425 |
申请公布日期 |
2007.12.16 |
| 申请号 |
TW096100670 |
申请日期 |
2007.01.08 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
布兰特 艾伦 安德森;维特W C 詹;爱德华 乔瑟夫 诺瓦克 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
