金氧半导体元件、半导体结构及其制造方法

摘要

一种金氧半导体(MOS)元件，包括一闸极堆叠位于半导体基底上方。一间隙壁衬层位于闸极堆叠之侧壁，且间隙壁衬层具有一部份位于基底上方。一间隙壁位于间隙壁衬层上方，PMOS元件之间隙壁较佳具有张应力，且NMOS元件之间隙壁较佳具有压应力。