发明名称 |
制造半导体装置之方法 |
摘要 |
一种制造半导体装置之方法,其藉由固相扩散,将基板及半导体晶片之电极端子,倒装晶片接合在一起;以及利用热固性树脂,底部填充基板及半导体晶片之间的间隙,但此等端子之间的接合未因底部填充硬化步骤中的热而破裂。此方法包含接合步骤,其藉由固相扩散,将基板及半导体晶片之电极端子,倒装晶片接合在一起;底部填充步骤,其利用底部填充材料,填充基板及半导体晶片之间的间隙;以及底部填充硬化步骤,其加热底部填充材料至硬化温度,以硬化底部填充材料。在底部填充硬化步骤期间,基板及半导体晶片中具有较低热膨胀系数的构件系加热至一高于基板及半导体晶片中另一构件的温度。 |
申请公布号 |
TW200746332 |
申请公布日期 |
2007.12.16 |
申请号 |
TW095145389 |
申请日期 |
2006.12.06 |
申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
海沼则夫;吉良秀彦;小八重健二;中村公保;石川邦子;尾崎行雄 |
分类号 |
H01L21/603(2006.01);H01L21/52(2006.01);H01L21/50(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/603(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
|
地址 |
日本 |