于磊晶成长源极汲极上选择性沉积的覆盖层之结构及制造方法

摘要

本发明揭露一用以改良自动对准矽化物的接触部形成及降低一电晶体的外部电阻之方法及装置。一闸极电极系形成于一基材的一表面上。一源极区及一汲极区在基材中被等向地蚀刻。一矽锗合金系在源极区中及汲极区中于现场掺杂硼。矽沉积在矽锗合金上。镍沉积在矽上。一镍矽锗矽化物层形成于矽锗合金上。一镍矽矽化物层形成于镍矽锗矽化物层上。