形成具有中间层之半导体器件之方法及其结构

摘要

本发明揭示一种位于一基板(10)上之堆叠(30)。该堆叠包括一位于一介电层(16)与一金属层(26)之间的层(24)。该层包括一卤素及一金属。在一实施例中，该卤素为氟。在一实施例中，该堆叠为一电晶体之一控制电极堆叠。在一实例中，该控制电极堆叠为一MOSFET之一闸极推叠。在一实例中，该层包括氟化铝。