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经营范围
发明名称
溅射靶及氧化物烧结体之制造方法
摘要
本发明系提供溅射靶及氧化物烧结体之制造方法,其中,该溅射靶系用以形成具有低电阻而高透光率之透明导电膜,该透明导电膜为非晶质膜且藉由弱酸蚀刻可以比较容易形成图案,且比较容易结晶化。本发明系一种形成非晶质状态之透明导电膜的溅射靶,其具备含有氧化铟与因应需要之锡以及钡之氧化物烧结体。
申请公布号
TW200745361
申请公布日期
2007.12.16
申请号
TW096111550
申请日期
2007.04.02
申请人
三井金属业股份有限公司
发明人
高桥诚一郎;宫下德彦
分类号
C23C14/34(2006.01);C23C14/08(2006.01);H01B5/14(2006.01)
主分类号
C23C14/34(2006.01)
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
日本
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