金属错合物

摘要

本发明系关于金属错合物及其制备，特别是金属错合物MLnXm，其中M为第8、9或10族之金属，且X为卤根、HCO3-、NO3-、CO32-或羧酸根。n为等于或小于金属配位数之数目，而m为1或2，且等于金属之氧化状态。配位体L可为如本文中所详述之式(I)、(II)、(III)或(IV)之二齿合膦。制造方法包括使金属M之胺化物与错合化合物反应，该错合化合物较佳为膦。