反应室盖板可降低之CVD反应器CVD-REAKTOR MIT ABSENKBARER PROZESSKAMMERDECKE

摘要

本发明系有关一种使一反应室壳体(1)反应室(2)内部的基板(4)上沈积出一或多层薄膜之装置，其包括一放置基板之可加热底板(3)、一平行于底板(3)之盖板(5)及一输入反应气体之进气机构(6)。由沈积基板薄膜之制程位置进入清洁反应室之清洁位置时，该反应室盖板(5)与底板(3)之距离(H)可缩短至零。反应室盖板(5)上方设一冷却装置(7)，其在沈积薄膜之制程位置时冷却盖板(5)，且反应室盖板(5)与反应室底板(3)的距离(H)缩短时，冷却装置(7)与盖板(5)的距离增大。