成膜方法、成膜装置及记忆媒体

摘要

在设置于被设计为可进行真空抽取之处理容器24的内部之载置台34上，载置于表面上被形成有凹部之被处理体(例如，半导体晶圆W等)。而后，在处理容器24之内部使电浆产生，并在此处理容器24之内部中，经由前述电浆而将金属标靶70离子化并产生金属离子。而后，对载置台34供给偏压电力，并藉由将前述金属离子以此被供给之偏压电力而拉入至被载置于前述载置台34上之前述被处理体，来在包含有前述凹部内之面的前述被处理体之表面上形成薄膜。在本发明中，系使偏压电力之大小，在使前述被处理体之表面不会被实质溅镀的范围内变化。