反及非挥发性二位元记忆体及其制造方法

摘要

本发明揭示一种反及非挥发性二位元记忆体晶胞，系包含配置于基材一主动区域上之一晶胞堆叠以及二选择堆叠，各选择堆叠系分别配置于晶胞堆叠之一侧且于晶胞堆叠以及各选择堆叠之间配置有一侧壁。晶胞堆叠包含四部分：一配置于基材上方之第一介电层；一配置于第一介电层上方之电荷累积层，系可将电荷保持于一部份来储存资讯；一配置于电荷累积层上方之第二介电层；以及一配置于第二介电层上方之控制闸极。选择堆叠包含二部分：一配置于基材上方之第三介电层；以及一配置于第三介电层上方之选择闸极，系可将一下方通道区转化为记忆体晶胞之源极/汲极功能。