非挥发性记忆体之布局结构

摘要

一种非挥发性记忆体之布局结构，其包括：基底、行方向的多条埋入式位元线、作为记忆胞的多个电晶体、列方向的多条字元线、多个位元线接触窗以及至少二条虚拟字元线。基底中具有一隔离结构，且隔离结构定义出主动区。埋入式位元线位于主动区之基底中。电晶体位于各埋入式位元线之间的基底上，且排列成二维阵列。每一条字元线串联同一列的各电晶体。位元线接触窗位于埋入式位元线上。另外，二条虚拟字元线分别位于主动区两侧的隔离结构上，且与字元线平行排列。