发明名称 半导体记忆体及其测试方法
摘要 一种在测试时任意操作模式资讯被设定于多数个结构暂存器(CR)中并降低测试成本的半导体记忆体以及一种测试此一半导体记忆体之方法,该等多数个CR保留操作模式资讯,当一CR控制电路以一预定顺序侦测要写入至暂存器存取的一位址之写入命令或要自暂存器存取的位址来读取的读取命令时,该CR控制电路根据一分时方式来更新该等多数个CR每一个的操作模式资讯。一命令产生部,回应来自外部的一控制信号,产生写入命令、读取命令、或一测试开始命令,写入操作或读取操作因该测试开始命令而不会发生。此外,该命令产生部在每次该等多数个CR被更新时再生该测试开始命令。一资料垫压缩电路藉由利用输入至部分的资料垫之测试资料,在根据一码将该测试资料反相或以其原始状态后,作为用于该等资料垫其余部分的资料,来改变要被写入至该等多数个CR的操作模式资讯,该码系由一在该测试开始命令被送出时所输入的位址之部分来表示。
申请公布号 TW200746155 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW096114787 申请日期 2007.04.26
申请人 富士通股份有限公司 发明人 森郁
分类号 G11C29/20(2006.01);G11C29/40(2006.01) 主分类号 G11C29/20(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本