发明名称 半导体记忆体装置及包含该半导体记忆体装置之记忆体系统
摘要 本发明提供一种半导体记忆体装置及一包含该半导体记忆体装置之记忆体系统。该半导体记忆体装置可包含:一第一记忆体单元阵列区块,其产生第一资料;一第二记忆体单元阵列区块,其产生第二资料;及第一与第二错误侦测码产生器。该第一错误侦测码产生器可产生一第一错误侦测码,且可将该第一错误侦测码之位元的一部分与一第二错误侦测码之位元的一部分组合以产生一第一最终错误侦测信号。该第二错误侦测码产生器可产生该第二错误侦测码,且可将该第二错误侦测码之位元的除该部分之外的剩余位元与该第一错误侦测码之位元的除该部分之外的剩余位元组合以产生一第二最终错误侦测信号。
申请公布号 TW200746154 申请公布日期 2007.12.16
申请号 TW096104910 申请日期 2007.02.09
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 郑会柱;金圭现
分类号 G11C29/12(2006.01);G11C29/38(2006.01) 主分类号 G11C29/12(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林嘉兴
主权项
地址 韩国