藉由P型井隔离达成之N型金属氧化物半导体可电抹除可程式化之唯读记忆体阵列中的独立可程式化记忆体片段及其方法INDEPENDENTLY PROGRAMMABLE MEMORY SEGMENTS WITHIN AN NMOS ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY ARRAY ACHIEVED BY P-WELL SEPARATION AND METHOD THEREFOR

摘要

藉由形成在其上制造记忆体片段之多个电分离之P型井，可将N型通道记忆胞之阵列分为独立可程式化记忆体片段。例如，可藉由p-n接面分离或介电分离来形成该多个电分离之P型井。