| 摘要 |
本发明之课题为：背面研磨半导体晶圆后之极薄晶圆(10~200μm晶圆厚度)，强度小且容易破损。另外，容易变形，之后的制程之自动化变得困难。解决手段为：使用可以真空吸附极薄化晶圆而予以固定之薄板收纳容器。收纳容器之真空吸附部，系具有：载置晶圆之吸附面、及于吸附面上开口之真空吸附晶圆的复数吸附孔、及连接复数吸附孔之减压室、与外部真空管路连接之吸引口、及连接减压室与吸引口之吸气孔。于减压室设置有支撑隔壁，来支撑吸附板。吸附板系可以从收纳容器分离之构造。吸附面为弹性材料，且另一方为以具有一定强度的高分子材料所构成之二层构造。收纳容器以晶圆吸附面对于周缘部为凹状为佳。晶圆系被真空吸附固定，薄板收纳容器的搬运或制程也可以自动化。收纳容器可以重复使用，环境负担也少。 |
