钛膜之成膜方法

摘要

在具备有作为一对之平行平板电极而起作用的莲蓬头(10)以及电极(8)之处理室(1)内，配置具备有开口径为0.13μm以下以及/又或是纵横比为10以上之孔的晶圆W。一面导入包含有TiCl4气体以及H2气体之处理气体，一面从高频电源(34)来对莲蓬头(10)供给高频电力，而在此些之间形成电浆。藉由此电浆，来促进处理气体之反应，而在晶圆W上成膜钛膜。此时，将高频电力之功率(W)/TiCl4气体之流量(mL/ min(sccm))的值设为67以下。