| 发明名称 |
包含金属-绝缘体-金属电容的积体电路元件以及其制造方法 |
| 摘要 |
提供包含金属-绝缘体-金属(MIM)电容之积体电路元件。MIM电容可包含具有第一以及第二层之上部电极。上部电极之第一层包含物理气相沈积(PVD)上部电极且上部电极之第二层包含在PVD上部电极上之离子化PVD(IPVD)上部电极。亦提供相关的方法。 |
| 申请公布号 |
TW200746382 |
申请公布日期 |
2007.12.16 |
| 申请号 |
TW095141890 |
申请日期 |
2006.11.13 |
| 申请人 |
三星电子股份有限公司 |
发明人 |
权大振;朴廷;元皙俊;宋宇;金元洪;金柱然 |
| 分类号 |
H01L25/04(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L25/04(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
| 主权项 |
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| 地址 |
韩国 |
