| 摘要 |
本发明揭示一种半导体装置(10)，其具有最后互连层(16)与包括接合衬垫(28)与该最后互连层(16)之间的一障壁金属(26)之接合衬垫之间的接点。一钝化层(18)与一聚醯亚胺层(22)两者分离该最后互连层(16)与该接合衬垫(28)。该钝化层(18)经图案化以形成一用以与该最后互连层(16)接触之第一开口(20)。该聚醯亚胺层(22)亦经图案化以留存一贯穿该钝化层(18)而位于该第一开口(20)内并因此小于该第一开口(20)的第二开口(24)。该障壁层(26)接着经沈积而与该最后互连层(16)接触并以该聚醯亚胺层(22)为界。该接合衬垫(28)接着经形成而与该障壁(26)接触，且接着将一导线接合(30)形成于该接合衬垫(28)上。 |
