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Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrostatische Mehrmodus-Entladeschaltung für einen Halbleiterchip, der einen Eingabepuffer (110) aufweist, und auf ein Verfahren zur Reduzierung einer Eingangskapazität eines solchen Halbleiterchips. Erfindungsgemäß sind eine oder mehrere ESD-Dioden (D11, D12), die mit einem Eingabeanschluss des Eingabepuffers verbunden sind und an diesem anliegende statische Elektrizität entladen, und eine oder mehrere Körperspannungsänderungseinheiten (102, 104) vorhanden, die eine entsprechende Körperspannung an die jeweilige ESD-Diode anlegen, wobei die jeweilige Körperspannung einen Spannungspegel aufweist, der höher als eine Versorgungsspannung (VDD) oder niedriger als eine Massespannung (VSS) der ESD-Schaltung ist, wenn die ESD-Schaltung in einem ersten Modus ist, und gleich der Versorgungsspannung oder gleich der Massespannung der ESD-Schaltung ist, wenn die ESD-Schaltung in einem zweiten Modus ist. Verwendung z.B. für Speichermodule vom DRAM-Typ.
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