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Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, welches einschließt, dass ein Halbleitersubstrat einer thermischen Behandlung bei einer Temperatur in einem Bereich von 770 bis 830°C ausgesetzt wird, um Kanal-Ionen zu fixieren, anschließend eine HTO-Schicht zu bilden. Das Verfahren verhindert somit, dass sich eine Threshold-Spannung eines Gates aufgrund von Diffusion von Kanal-Ionen verhindert.
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