半导体器件的制造方法

摘要

以下面的方式一种半导体器件制造方法和一种剥离抗蚀剂的清洗装置以足够的成品率提供具有优异的元件特性的半导体器件，在光刻工艺的干蚀刻之后，通过湿清洗去掉抗蚀剂，并且充分地除去了颗粒或金属杂质同时没有损伤精细图形。半导体器件的制造方法包括：在为半导体衬底提供的膜上形成抗蚀剂图形，用抗蚀剂图形作为掩模形成导电膜的精细图形，同时进行干蚀刻，将抗蚀剂剥离液提供到半导体衬底的精细图形形成表面通过单晶片系统处理剥离抗蚀剂图形，以及进行半导体衬底的漂洗处理。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底的上部上形成抗蚀剂图形；用所述抗蚀剂图形作为掩模进行处理；以及在使所述半导体衬底旋转同时所述半导体衬底保持水平的情况下将抗蚀剂剥离液提供到所述半导体衬底的抗蚀剂图形形成表面的同时，剥离所述抗蚀剂图形，其中剥离抗蚀剂图形的步骤包括：将所述抗蚀剂剥离液提供到所述抗蚀剂图形形成表面同时以第一速度旋转所述半导体衬底作为第一步骤，其中所述第一速度能够有效地剥离抗蚀剂硬化层；以及将所述抗蚀剂剥离液提供到所述抗蚀剂图形形成表面同时以第二速度旋转所述半导体衬底作为第一步骤之后的第二步骤，其中所述第二速度低于第一速度并且能够有效地除去硬化层下面的部分上残留的抗蚀剂。