| 发明名称 | 半导体存储器件的晶粒上热传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体存储器件的晶粒上的热传感器(ODTS)，包括：高电压产生单元，其用于产生具有高于所述半导体存储器件的电源电压的电压电平的高电压；以及热信息输出单元，其用于感测温度且将其作为热信息码而输出，其中所述热信息输出单元使用所述高电压作为其驱动电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101083135A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710103267.3 | 申请日期 | 2007.05.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑椿锡;金容琪 |
| 分类号 | G11C11/406(2006.01);G11C11/4074(2006.01);G11C7/04(2006.01) | 主分类号 | G11C11/406(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄小临;王志森 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储器件的晶粒上热传感器ODTS，包括：高电压产生单元，其用于产生具有高于所述半导体存储器件的外部电源电压的电压电平的电压电平的高电压；以及热信息输出单元，其用于感测温度且将所感测的温度作为热信息码而输出，其中所述热信息输出单元使用所述高电压作为其驱动电压。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||