| 发明名称 | 半导体装置制造方法及半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体装置制造方法，包括场氧化物绝缘薄膜形成步骤，所述场氧化物绝缘薄膜形成步骤包括形成场氧化物绝缘薄膜(12)，使得当在平面图中观察半导体衬底(11)时，在有源区域(13)中，部分(13a)朝着离心力作用方向(F)的前向侧具有曲面凸出，所述部分(13a)对应于所述有源区域(13)的侧表面部分，所述侧表面部分沿着半导体衬底(11)的表面在离心力作用方向(F)上与半导体衬底(11)的表面上旋转涂覆中的旋转中心(O)相对。 | ||
| 申请公布号 | CN101083228A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710106444.3 | 申请日期 | 2007.05.29 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 塚本明子;长谷川尚;小山内润 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘杰;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置制造方法，包括：场氧化物绝缘薄膜形成步骤，包括：使半导体衬底表面经历局部氧化；沿着半导体衬底表面形成场氧化物绝缘薄膜；和通过使用场氧化物绝缘薄膜将半导体衬底表面分成多个有源区域；电极形成步骤，包括：在半导体衬底表面上形成电极薄膜；通过旋转涂覆在电极薄膜表面上涂覆光致抗蚀剂；使光致抗蚀剂暴露于光；和刻蚀并移除电极薄膜的不必要部分，以形成电极；和电阻器形成步骤，包括：在衬底表面上形成电阻器薄膜；通过旋转涂覆在电阻器薄膜的表面上涂覆光致抗蚀剂；使光致抗蚀剂暴露于光；和刻蚀并移除电阻器薄膜的不必要部分，以形成电阻器；其中，所述场氧化物绝缘薄膜形成步骤包括：形成场氧化物绝缘薄膜，使得一部分沿着半导体衬底朝着离心力的前向方向具有曲面凸出，所述一部分构成每个有源区域的侧表面部分，与用于旋转涂覆的半导体衬底表面的旋转中心相对，且沿着半导体衬底表面定位在离心力作用方向的前侧。 | ||
| 地址 | 日本千叶县千叶市 | ||