一种带有电吸收光栅结构的Q－调制半导体激光器

摘要

本实用新型公开了一种带有电吸收光栅结构的Q－调制半导体激光器。包含一个λ/4相移的分布反馈光栅，两个相互分离的上电极沉积于光栅顶部，一个电极沉积在激光器基底作为公共地。第一个上电极覆盖了光栅的一部分，包括相移区，通过注入的恒定电流为激光器提供光增益。第二个上电极则覆盖了远离相移区的光栅的剩余部分，作为激光器的Q－调制器。电信号可以加在该第二个上电极来改变带有电吸收光栅结构的调制器区域波导的吸收系数，改变激光器的Q值，从而改变激光阈值和输出功率。本实用新型的Q－调制半导体激光器具有集成化、高速、高消光比、低波长啁啾和低成本等优点。

主权项

1.一种带有电吸收光栅结构的Q-调制半导体激光器，其特征在于：包含一个嵌入在有源波导结构中的相移分布反馈光栅，两个相互分离的第一上电极和第二上电极分别覆盖于增益区域和调制器区域的顶部，和一个作为公共接地面的下电极；所述相移分布反馈光栅依次分为第一部分、第二部分和第三部分，其中第一部分和第二部分由相移区隔开；所述沉积于增益区域的第一上电极覆盖所述光栅的第一部分、第二部分及其间的相位区，并将一个恒定电流注入该电极下的有源光波导，所述覆盖于调制器区域的第二上电极覆盖所述光栅的第三部分。