| 发明名称 | 切断电熔丝的半导体器件和方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及电熔丝，该电熔丝包括具有第一切断目标区域的第一导体，以及从第一导体分支并连接到第一导体的第二导体，该第二导体包括第二切断目标区域，它们都形成在半导体衬底上，其中在切断电熔丝的情况下，由第一导体形成流出区域，该第一导体在第一切断目标区域以及第二切断目标区域之间向外流动。 | ||
| 申请公布号 | CN101083250A | 申请公布日期 | 2007.12.05 |
| 申请号 | CN200710106494.1 | 申请日期 | 2007.06.01 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 上田岳洋 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/525(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及电熔丝：其包括：具有第一切断目标区域的第一导体；以及从所述第一导体分支并连接到所述第一导体的第二导体，并且该第二导体包括第二切断目标区域，所述第一导体和第二导体形成在所述半导体衬底上，其中在切断电熔丝的情况下，由如下所述的第一导体形成流出区域，所述第一导体在所述第一切断目标区域以及所述第二切断目标区域之间向外流动。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||