使用单晶自对准二极管的磁性随机存取记忆体

摘要

磁性随机存取记忆体(MRAM)记忆胞包含MRAM元件以及单晶自对准二极管。MRAM元件与单晶自对准二极管经由接触窗而连接。在MRAM元件上方仅定位一个金属线。定位于邻近接触窗的相对侧壁之处的第一间隙壁以及第二间隙壁定义了单晶自对准二极管的大小。第一金属硅化物线以及第二金属硅化物线分别定位于邻近第一间隙壁以及第二间隙壁之处。定义于硅基底中的单晶自对准二极管包括底部植入(BI)区域以及接触植入(CI)区域。CI区域为BI区域所包围，除了CI区域的与硅基底的表面对准的侧边以外。亦揭露MRAM记忆胞的制造方法、读取方法以及程式化方法。

主权项

1.一种用于在基底上制造磁性随机存取记忆体元件的方法，其特征在于其包含：藉由将第一杂质掺杂剂经由定义于基底内的沟渠植入所述基底来形成底部植入区域；在所述沟渠的内表面上形成共形介电层；在所述共形介电层上形成层间介电层；对所述底部植入区域上方的所述层间介电层进行图案化；蚀刻穿过所述层间介电层直至达到所述底部植入区域为止，以形成接触孔；藉由将第二杂质掺杂剂经由所述接触孔植入所述底部植入区域中来形成接触植入区域，以使所述接触植入区域为所述底部植入区域所包围，除了所述接触植入区域的与所述基底的表面对准的侧边以外，其中所述第二杂质掺杂剂具有与所述第一杂质掺杂剂相反的极性，且所述接触植入区域以及所述底部植入区域形成单晶自对准二极管；填充所述接触孔，以形成接触窗；以及在接触窗上形成所述磁性随机存取记忆体元件。